nanoplus InGaAsSb 光電二極管

nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長(zhǎng)銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，峰值波長(zhǎng)為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm和?3mm，具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點(diǎn)，非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。

主要特點(diǎn)

  • 波長(zhǎng)范圍1000nm-2600nm
  • ?1mm，?2mm和?3mm有效面積
  • 采用TO5封裝，帶或不帶制冷器

應(yīng)用服務(wù)

  • 高靈敏度氣體分析
  • 過程控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)
  • 各種分析儀器等

技術(shù)參數(shù)

nanoplus InGaAsSb(銻砷化銦鎵) 光電二極管主要參數(shù)特性：

主要參數(shù)特性 (T = 25 °C) 符號(hào) 單位 標(biāo)準(zhǔn)
Spectral response range I nm 1000-2600
Peak sensitivity wavelength Ip nm 1880
Peak responsivity Rp A/W 0.66
Dark current without bias ID nA 95
Junction capacitance CJ pF 41
Shunt resistance Rsh Ω 17