nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內(nèi)，峰值波長為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm…
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nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內(nèi)，峰值波長為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm…